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发光二极管参数有很多，常用的参数有：正向电流IF、正向压降VF、反向耐压VR、发光波长λ、发光强度Φ等。

因为制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的，二极管内部有P区N区之分，所以导致热平衡状态下的N区有很多易迁移的电子，P区有较多的不易迁移的空穴。在常态下及PN结阻挡的情况下，空穴和电子不能发生自然复合，但是当给PN结加以正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反，破坏了PN结的动态平衡，产生了少数的载流子。空穴从P区迁移至N区，同样电子从N区迁移到P区，产生少数载流子将同该区的多数载流子复合，将多余的能量以光的形式辐射出去.二极管就发出光了。