FLOSFIA

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国内绝大多数企业 / 研究所做β-Ga₂O₃(单斜相);FLOSFIA 走α-Ga₂O₃刚玉相,晶格与蓝宝石匹配,采用 MIST DRY 雾相 CVD,不需要昂贵单晶氧化镓衬底,直接在蓝宝石上长高质量氧化镓薄膜。

技术优势:α-Ga₂O₃击穿场强理论更高;蓝宝石衬底便宜,可直接做 4 英寸晶圆,已完成 4 英寸 α-Ga₂O₃工艺验证;器件低导通电阻,面向车载、工业电源

核心特点:不做氧化镓单晶衬底,异质外延路线;2025 年底宣布 4 英寸 α-Ga₂O₃量产技术突破、可靠性攻关完成FLOSFIA

下游:和 DENSO 电装合作,目标车载功率器件;同时面向工业电源、储能


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