Innolume 是一家提供基于铟镓砷/砷化镓( InGaAs/GaAs)量子阱和量子点技术光子器件的综合型供应商，产品波长覆盖范围为 780 nm 至 1350 nm。
Innolume专注于开发定制化光子器件，精准匹配客户特定需求。我们具备中批量自主生产能力，并可无缝移交代工厂实现大规模量产，确保全流程可扩展性与品质一致性。
Innolume 是首个成功将量子点(QD)半导体器件推向商业市场的团队。在实现这一里程碑的同时，我们还开发了领先的量子阱(QW)激光技术，进一步巩固了我们在光子技术创新前沿的地位。
Innolume 配备两台量产级分子束外延(MBE)反应炉，支撑铟铝镓砷磷/砷化镓(In,Al,Ga,AsP/GaAs)异质结构的外延生长，为研发与批量生产提供所需的灵活适应性与可持续运行能力。 传统的 InGaAs 量子阱结构可覆盖 780–1120 nm 的标准波长范围，而我们自有专利的砷化铟量子点(InAs QD)技术将砷化镓(GaAs)技术可达范围扩展至1350纳米。
nnolume 的晶圆加工能力涵盖前端制造的所有工艺步骤，包括电子束光刻(EBL)和现代化控制技术，以实现高质量激光芯片的生产。
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