IBM打算在14纳米制程节点(已经于GlobalFoundries生产)导入SiBCN绝缘体，而SiOCN将在7纳米节点采用；Stathis透露，IBM期望可在5纳米节点使用终极绝缘体──气隙(air gap)。

北京时间6月5日消息，IBM宣布，摩尔定律并未终止，5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。相比较之下，当前10nm的骁龙835仅仅集成的晶体管数量约为30亿。

IBM强调，同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一点是，5nm加持下，现有设备如手机的电池寿命将提高2至3倍。

根据早前资料，业内很多人士都表示5nm可能是物理极限。但是IBM并不这么认为，其描述的(22纳米制程芯片上的) 10纳米厚度SiBCN与SiOCN间隔介质性能如何超越SiN，以及在7纳米制程测试芯片采用6纳米厚度绝缘介质的实验。

IBM打算在14纳米制程节点(已经于GlobalFoundries生产)导入SiBCN绝缘体，而SiOCN将在7纳米节点采用；Stathis透露，IBM期望可在5纳米节点使用终极绝缘体──气隙(air gap)。